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詳細(xì)介紹 CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

詳細(xì)介紹 ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目前被廣泛應(yīng)用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕?？蓱?yīng)用于大規(guī)模集成電路、MEMS、光波導(dǎo)、光電子器件等領(lǐng)域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。

市場和應(yīng)用 用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。 各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽極的鈍化 用于柔性太陽能電池的導(dǎo)電層和封裝 用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層

超快速、高精度空間原子層沉積鍍膜 Beneq C2R 是我們集群兼容設(shè)備系列的空間 ALD 成員。 Beneq C2R 將等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子體增強(qiáng)旋轉(zhuǎn)原子層沉積工藝，Beneq C2R 是厚原子層沉積膜的理想選擇，甚至可達(dá)幾微米。

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