1. 靈活的沉積平臺(tái)服務(wù)于廣泛的應(yīng)用

Veeco 的單靶點(diǎn) NEXUS PVDi 物理氣相沉積（PVD）系統(tǒng)，為各類(lèi)薄膜沉積應(yīng)用提供了極大的靈活性和多功能性，使其在當(dāng)今快速發(fā)展的技術(shù)環(huán)境中脫穎而出。無(wú)論是在半導(dǎo)體、光電子材料、顯示技術(shù)還是其他高科技領(lǐng)域，NEXUS PVD 都能夠滿足客戶的多樣化需求。

該系統(tǒng)的加工精度高達(dá) 200 毫米，不僅保證了沉積過(guò)程的精確控制，還使得它能夠支持多種不同的工藝需求。NEXUS PVD 的先進(jìn)工藝能力，結(jié)合=均勻性，確保了每一層沉積膜的質(zhì)量和性能都達(dá)到行業(yè)水平。這種優(yōu)質(zhì)的性能在提高整體工藝產(chǎn)量方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用，用戶能夠以更高的良率實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)。

此外，NEXUS PVD 平臺(tái)彰顯了出色的吞吐量和正常運(yùn)行時(shí)間，顯著降低了設(shè)備的擁有成本。這意味著客戶可以在保持高產(chǎn)量的同時(shí)，減少維護(hù)和運(yùn)營(yíng)成本，進(jìn)一步提升投資回報(bào)率。

2. NEXUS 平臺(tái)還集成了 Veeco 多項(xiàng)技術(shù)

包括離子束沉積、離子束蝕刻和原子層沉積（ALD），使得該系統(tǒng)具備處理多種沉積需求的能力。離子束沉積能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量薄膜的沉積，適合于對(duì)膜厚均勻性和膜缺陷有嚴(yán)格要求的應(yīng)用；而離子束蝕刻技術(shù)則用于精細(xì)圖案的刻制，更好地滿足高精度集成電路制造的需要。原子層沉積技術(shù)則在沉積極薄膜方面表現(xiàn)，適用于高技術(shù)含量的光電材料、傳感器及其他前沿科技領(lǐng)域。

Veeco 的 NEXUS PVDi 系統(tǒng)通過(guò)其頂尖的靈活性、可靠性和高效性，為廣泛的薄膜沉積應(yīng)用提供了解決方案，幫助客戶在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中保持地位。無(wú)論是從技術(shù)創(chuàng)新還是經(jīng)濟(jì)效益來(lái)看，NEXUS PVDi 系統(tǒng)都為用戶創(chuàng)造了巨大的增值潛力。