1. 產(chǎn)品概述

SENTECH SIPAR ICP沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)的各種沉積模式和工藝開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)的。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電和一個(gè)受控的真空系統(tǒng)。該系統(tǒng)將等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 和原子層沉積 （ALD） 結(jié)合在一個(gè)反應(yīng)器中。

2. 主要功能與優(yōu)勢(shì)

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)將原子層沉積 （ALD） 和電感耦合等離子體增強(qiáng)真空沉積 （ICPECVD） 技術(shù)結(jié)合在一個(gè)反應(yīng)室中以順序沉積方法進(jìn)行。用戶可以利用這兩種工藝的優(yōu)勢(shì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確、保形和高質(zhì)量的多層膜，同時(shí)對(duì)膜厚、均勻性、選擇性和沉積速率有出色的控制。這在先進(jìn)的有機(jī)電子學(xué)、微電子學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體器件研究中尤為重要。

3. 靈活的系統(tǒng)架構(gòu)

該系統(tǒng)采用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)，為各種沉積模式和工藝而設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。由均勻和保形沉積的原子層沉積的原子層沉積層和快速生長(zhǎng)的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機(jī)器件技術(shù)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體研究和工業(yè)中具有優(yōu)勢(shì)。

4. 高性價(jià)比

SENTECH SIPAR ICP的高效多層沉積能力和小尺寸使其具有很高的成本效益和多功能性。它非常適合用于有機(jī)設(shè)備技術(shù)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體研究的研發(fā)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)。

5. 靈活性和模塊化

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)允許使用 ALD 和電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （ICPECVD） 進(jìn)行順序沉積，而無(wú)需在不同反應(yīng)室之間轉(zhuǎn)移底物。

由均勻和保形沉積的原子層沉積物原子層沉積層和快速生長(zhǎng)的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機(jī)器件技術(shù)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體研究中具有優(yōu)勢(shì)。SENTECH SIPAR ICP沉積系統(tǒng)為生產(chǎn)、研發(fā)和大學(xué)使用提供了高效的多層沉積。更低的價(jià)格、更高的吞吐量和更小的占地面積使 SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)比集群解決方案更具優(yōu)勢(shì)。