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反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

簡要描述:可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝,兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝,電極的適用溫度范圍寬,-150°C至400°C。

  • 產(chǎn)品型號:customized-12
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 1147

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝,兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝,電極的適用溫度范圍寬,-150°C至400°C。反應(yīng)性離子刻蝕 reaction ionetching;RIE)是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時,利用反應(yīng)性氣體的離子束,切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵,使之產(chǎn)生低分子物質(zhì),揮發(fā)或游離出板面,這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

2. 設(shè)備用途/原理

III-V族材料刻蝕工藝

固體激光器 InP刻蝕;

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

射頻器件低損傷 GaN刻蝕;

類金剛石 DLC) 沉積;

二氧化硅和石英刻蝕

用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕。

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